BSS806NE H6327

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

2.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

41 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

300 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

1.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

2.9 mm

シリーズ：

BSS806

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.3 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

9 S

立ち下がり時間：

3.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9.9 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.5 ns

パーツ番号エイリアス：

BSS806NEH6327XTSA1 SP000999336

単位重量：

0.000282 oz

Tags

BSS806NEH, BSS806NE, BSS806, BSS80, BSS8, BSS