NTR1P02LT3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

1.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

135 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

5.5 nC

Pd-消費電力：

400 mW

構成：

独身

包装：

リール

シリーズ：

NTR1P02L

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

20 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.000282 oz

Tags

NTR1P02LT, NTR1P02L, NTR1P, NTR1, NTR