2SB1326TV2R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

20 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 20 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

最大DCコレクタ電流：

5 A

ゲイン帯域幅積fT：

120 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

180 at 500 mA, 2 V

高さ：

4.4 mm

長さ：

6.8 mm

包装：

弾薬パック

幅：

2.5 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

180

Pd-消費電力：

1500 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SB132, 2SB13, 2SB1, 2SB