CGH40010F

Mfr. #:: CGH40010F
メーカー:: N/A
説明:: RF JFET Transistors DC-6GHz 28V 10W Gain 14.5dB GaN HEMT
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: CGH40010F データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:: CGH40010F 詳しくは

製品属性
属性値

メーカー: クリー

製品カテゴリ: ICチップ

包装: チューブ

取り付けスタイル: スクリュー

動作-温度-範囲: -

パッケージ-ケース: 440166

テクノロジー: GaN SiC

構成: 独身

トランジスタタイプ: HEMT

利得: 14.5 dB

クラス: -

出力電力: 12.5 W

Pd-電力損失: -

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 40 C

応用: -

動作周波数: 2 GHz to 6 GHz

Id-連続-ドレイン-電流: 1.5 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 120 V

Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage: - 3 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: -

トランジスタ-極性: Nチャネル

フォワード-相互コンダクタンス-最小: -

開発キット: CGH40010-TB

Vgs-ゲート-ソース-ブレークダウン-電圧: - 10 V to + 2 V

ゲート-ソース-カットオフ-電圧: -

最大ドレインゲート電圧: -

NF-雑音指数: -

P1dB-圧縮ポイント: -

Tags: CGH40010F, CGH40010, CGH4001, CGH400, CGH40, CGH4, CGH

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CGH40010F 説明

***i-Key: RF MOSFET HEMT 28V 440166

***hardson RFPD: RF POWER TRANSISTOR

CGH40010F 詳しくは

GaN HEMTs: Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
CGH40010F DISTI # CGH40010F-ND	Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V 440166 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Tray	1686In Stock	1:$58.4800
CGH40010F-TB DISTI # CGH40010F-TB-ND	Wolfspeed	BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40010 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Bulk	9In Stock	1:$550.0000
CGH40010F DISTI # 941-CGH40010F	Cree, Inc.	RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt RoHS: Compliant	809	1:$58.4800
CGH40010F-TB DISTI # 941-CGH40010F-TB	Cree, Inc.	RF Development Tools Test Board without GaN HEMT RoHS: Not compliant	3	1:$550.0000
CGH40010F DISTI # CGH40010F	Wolfspeed	RF POWER TRANSISTOR RoHS: Compliant	190	1:$58.4800
CGH40010F-TB DISTI # CGH40010F-TB	Wolfspeed	RF TRANSISTOR TEST FIXTURE RoHS: Compliant	2	2:$550.0000

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画像	モデル	説明
	Mfr.#: CGH40180PP OMO.#: OMO-CGH40180PP	RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
	Mfr.#: CGH40090PP-TB OMO.#: OMO-CGH40090PP-TB	RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
	Mfr.#: CGH40010 OMO.#: OMO-CGH40010-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: CGH400110FE OMO.#: OMO-CGH400110FE-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: CGH40015F OMO.#: OMO-CGH40015F-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: CGH40025 OMO.#: OMO-CGH40025-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: CGH40025F/P OMO.#: OMO-CGH40025F-P-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: CGH40090PP-TB OMO.#: OMO-CGH40090PP-TB-WOLFSPEED	BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40090
	Mfr.#: CGH40090PP OMO.#: OMO-CGH40090PP-WOLFSPEED	RF MOSFET HEMT 28V 440199
	Mfr.#: CGH482T450X5L OMO.#: OMO-CGH482T450X5L-CORNELL-DUBILIER-ELECTRONICS	Aluminum Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 4800uF 450V-10+50%