FDP5N50NZ

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

4.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.38 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 125 C

Pd-消費電力：

78 W

構成：

独身

商標名：

UniFET

包装：

チューブ

高さ：

16.3 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

FDP5N50NZ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.7 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3.54 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.063493 oz

Tags

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