IXFA18N65X2

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

18 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

200 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

29 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

290 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

シリーズ：

650V Ultra Junction X2

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8 S

立ち下がり時間：

26 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

30 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

50 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns

Tags

IXFA18, IXFA1, IXFA, IXF