IXTT80N20L

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-268-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

80 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

32 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

180 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

520 W

チャネルモード：

強化

商標名：

線形

包装：

チューブ

高さ：

5.1 mm

長さ：

14 mm

シリーズ：

IXTT80N20

タイプ：

リニアパワーMOSFET

幅：

16.05 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

30 S

立ち下がり時間：

29 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

44 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

72 ns

典型的なターンオン遅延時間：

29 ns

単位重量：

0.229281 oz

Tags

IXTT8, IXTT, IXT