SI1012X-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-89-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Id-連続ドレイン電流：

600 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

700 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

450 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

750 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

275 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

高さ：

0.8 mm

長さ：

1.6 mm

シリーズ：

SI1

トランジスタタイプ：

1 N Channel

幅：

0.85 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1 S

立ち下がり時間：

11 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

25 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns

パーツ番号エイリアス：

SI1012X-GE3

単位重量：

0.001058 oz

Tags

SI1012X-T1, SI1012X-T, SI1012X, SI1012, SI101, SI10, SI1