BSO612CV G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

120 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

SIPMOS

包装：

リール

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

シリーズ：

BSO612

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

幅：

3.9 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1.2 S

立ち下がり時間：

30 ns, 95 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

35 ns, 60 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

25 ns, 145 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns, 15 ns

パーツ番号エイリアス：

BSO612CVGHUMA1 BSO612CVGXT SP000216307

単位重量：

0.019048 oz

Tags

BSO612CVG, BSO612, BSO61, BSO6, BSO