RAQ045P01TCR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-457T-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

4.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

100 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

300 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

40 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.25 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.95 mm

長さ：

3 mm

製品：

MOSFET

シリーズ：

RAQ045P01

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

パワーMOSFET

幅：

1.8 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

12 S

立ち下がり時間：

150 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

60 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

400 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

パーツ番号エイリアス：

RAQ045P01

Tags

RAQ0, RAQ