NTA4151PT1H

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-75-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

760 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

450 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

1.8 V

Qg-ゲートチャージ：

2.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

301 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

NTA4151P

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.4 S

立ち下がり時間：

20.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8.2 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

29 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns

単位重量：

0.000097 oz

Tags

NTA4151PT, NTA4151P, NTA4151, NTA41, NTA4, NTA