TPH2R306NH,L1Q

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOP-Advance-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

130 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.9 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

72 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

78 W

構成：

独身

商標名：

UMOSVIII

包装：

リール

高さ：

0.95 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

TPH2R306NH

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

16 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9.9 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

50 ns

典型的なターンオン遅延時間：

29 ns

単位重量：

0.030018 oz

Tags

TPH2R306N, TPH2R3, TPH2R, TPH2, TPH