CDM22010-650

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

20 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

156 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

バルク

シリーズ：

CDM22010

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

セントラルセミコンダクター

立ち下がり時間：

36 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

33 ns

ファクトリーパックの数量：

400

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

CDM22010-650 PBFREE

Tags

CDM2201, CDM220, CDM22, CDM2, CDM