NTS2101PT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

8 V

Id-連続ドレイン電流：

1.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

100 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

450 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

6.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

290 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.85 mm

長さ：

2.1 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

NTS2101P

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

1.24 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

18 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

26 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.2 ns

単位重量：

0.000176 oz

Tags

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