IPB65R660CFDAATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

594 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

20 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

62.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

CoolMOS CFDA

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

インフィニオン/ IR

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns

パーツ番号エイリアス：

IPB65R660CFDA IPB65R66CFDAXT SP000875794

単位重量：

0.068654 oz

Tags

IPB65R660CFDA, IPB65R66, IPB65R6, IPB65, IPB6, IPB