NTMFS4833NT3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-FL-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

191 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

88 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

113.6 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.05 mm

長さ：

4.9 mm

シリーズ：

NTMFS4833N

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

FET-MOSFET-Nチャネル

幅：

5.8 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

30 S

立ち下がり時間：

17 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

34 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

35 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

Tags

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