STU6N65M2

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-251-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.35 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

9.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

60 W

商標名：

MDmesh

包装：

チューブ

製品：

パワーMOSFET

シリーズ：

STU6N65M2

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

20 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

6.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

19 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STU6N65, STU6N6, STU6N, STU6, STU