ZXT12P12DXTA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

MSOP-8

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 12 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 20 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7.5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 150 mV

最大DCコレクタ電流：

3 A

ゲイン帯域幅積fT：

85 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

ZXT12

DC電流ゲインhFEMax：

300 at 10 mA, 2 V

高さ：

0.95 mm

長さ：

3.1 mm

包装：

リール

幅：

3.1 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

- 3 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

300 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 3 A, 2 V, 20 at 12 A, 2 V

Pd-消費電力：

870 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.004938 oz

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ZXT12P12DXT, ZXT12P1, ZXT12P, ZXT12, ZXT1, ZXT