SSM6K217FE,LF

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ES6-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

1.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

400 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

1.1 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.55 mm

長さ：

1.6 mm

シリーズ：

SSM6K

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.2 mm

ブランド：

東芝

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.000289 oz

Tags

SSM6K217, SSM6K21, SSM6K2, SSM6K, SSM6, SSM