AFT09MS007NT1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

400 mV, 30 V

利得：

15.2 dB

出力電力：

7.3 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PLD-1.5

包装：

リール

動作周波数：

870 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

感湿性：

はい

Pd-消費電力：

114 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 12 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.1 V

パーツ番号エイリアス：

935318254515

単位重量：

0.009877 oz

Tags

AFT09MS, AFT09M, AFT09, AFT0, AFT