IHW30N90T

Mfr. #:: IHW30N90T
メーカー:: Rochester Electronics, LLC
説明:: IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: IHW30N90T データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー

製品カテゴリ: IGBT-シングル

シリーズ: IHW30N90

包装: チューブ

パーツエイリアス: IHW30N90TFKSA1 IHW30N90TXK SP000076322

単位重量: 1.340411 oz

取り付けスタイル: スルーホール

パッケージ-ケース: TO-247-3

構成: 独身

Pd-電力損失: 428 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 40 C

コレクター-エミッター-電圧-VCEO-マックス: 900 V

コレクター-エミッター-飽和-電圧: 1.5 V

連続-コレクター-電流-at-25-C: 30 A

最大ゲート-エミッタ-電圧: +/- 20 V

連続-コレクタ-電流-Ic-Max: 30 A

Tags: IHW30N90T, IHW30N9, IHW30N, IHW3, IHW

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Step1:
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IHW30N90T 説明

***p One Stop Japan: Trans IGBT Chip N-CH 900V 30A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

***ronik: IGBT 900V 30A 1.5V TO247-3

***ment14 APAC: IGBT+ DIODE,900V,30A,TO247

***i-Key: IGBT, 60A, 900V, N-CHANNEL

***el Electronic: IGBT 900V 60A 428W TO247-3

***nell: IGBT+ DIODE,900V,30A,TO247; DC Collector Current: 30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.7V; Power Dissipation Pd: 428W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 900V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min: -40°C; Operating Temperature Range: -40°C to +175°C; Power Dissipation Max: 428W; Transistor Type: IGBT

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
IHW30N90T DISTI # 30602191	Infineon Technologies AG	Trans IGBT Chip N-CH 900V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 RoHS: Compliant	9	5:$5.2020
IHW30N90TFKSA1 DISTI # IHW30N90TFKSA1-ND	Infineon Technologies AG	IGBT 900V 60A 428W TO247-3 RoHS: Compliant Min Qty: 240 Container: Tube	Limited Supply - Call
IHW30N90T DISTI # IHW30N90T	Infineon Technologies AG	Trans IGBT Chip N-CH 900V 30A 3-Pin TO-247 Tube - Bulk (Alt: IHW30N90T) RoHS: Not Compliant Min Qty: 125 Container: Bulk	Americas - 0	625:$2.4900 1250:$2.4900 375:$2.5900 250:$2.6900 125:$2.7900
IHW30N90T DISTI # SP000076322	Infineon Technologies AG	Trans IGBT Chip N-CH 900V 30A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: SP000076322) RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Tube	Europe - 0	1000:€2.2900 100:€2.3900 500:€2.3900 50:€2.4900 10:€2.5900 25:€2.5900 1:€2.6900
IHW30N90T DISTI # 726-IHW30N90T	Infineon Technologies AG	IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A RoHS: Compliant	1	1:$5.6000 10:$4.5000 25:$4.4200 100:$4.1000 250:$3.7000 500:$3.3000
IHW30N90T	Infineon Technologies AG	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD RoHS: Compliant	6670	1000:$2.6300 500:$2.7700 100:$2.8800 25:$3.0100 1:$3.2400
IHW30N90TFKSA1	Infineon Technologies AG	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD RoHS: Compliant	80	1000:$2.6300 500:$2.7700 100:$2.8800 25:$3.0100 1:$3.2400
IHW30N90T DISTI # 1832367	Infineon Technologies AG	IGBT+ DIODE,900V,30A,TO247 RoHS: Compliant	152	1:$3.4300

関連製品

画像	モデル	説明
	Mfr.#: IHW30N160R2 OMO.#: OMO-IHW30N160R2	IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
	Mfr.#: IHW30N120R3FKSA1 OMO.#: OMO-IHW30N120R3FKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES	IGBT 1200V 60A 349W TO247-3
	Mfr.#: IHW30N1202 OMO.#: OMO-IHW30N1202-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IHW30N160R2(H30R1602) OMO.#: OMO-IHW30N160R2-H30R1602--1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IHW30N60H3 OMO.#: OMO-IHW30N60H3-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IHW30N90T,IKW30N100R, OMO.#: OMO-IHW30N90T-IKW30N100R--1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IHW30R1103R3 OMO.#: OMO-IHW30R1103R3-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IHW30R1202 OMO.#: OMO-IHW30R1202-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IHW30N110R3 OMO.#: OMO-IHW30N110R3-126	IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
	Mfr.#: IHW30N160R2 OMO.#: OMO-IHW30N160R2-126	IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A