MMBTH10-4LT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

25 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

30 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

3 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.5 V

ゲイン帯域幅積fT：

800 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MMBTH10L

高さ：

0.94 mm

長さ：

2.9 mm

包装：

リール

幅：

1.3 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

225 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000282 oz

Tags

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