BSD314SPEH6327XTSA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

1.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

230 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

- 700 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

シリーズ：

BSD314

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

1.25 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3 S

立ち下がり時間：

2.8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3.9 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.1 ns

パーツ番号エイリアス：

BSD314SPE BSD314SPEH6327XT H6327 SP000917658

単位重量：

0.000265 oz

Tags

BSD314SPEH, BSD314, BSD31, BSD3, BSD