RUC002N05HZGT116

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

50 V

Id-連続ドレイン電流：

200 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.6 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

300 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

350 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

55 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4 ns

パーツ番号エイリアス：

RUC002N05HZG

Tags

RUC002N05H, RUC002N05, RUC00, RUC0, RUC