RV2C010UNT2L

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-1006-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

1 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

470 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

300 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

400 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

RV2C010UN

トランジスタタイプ：

1 N-Channel Power MOSFET

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns

パーツ番号エイリアス：

RV2C010UN

Tags

RV2C010, RV2C01, RV2C0, RV2C, RV2