HGTP12N60C3D

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-220-3

取り付けスタイル：

スルーホール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

600 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.65 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

24 A

Pd-消費電力：

104 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

HGTP12N60C3D

包装：

チューブ

連続コレクタ電流IcMax：

24 A

高さ：

9.4 mm

長さ：

10.67 mm

幅：

4.83 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

24 A

ゲートエミッタリーク電流：

+/- 100 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

IGBT

パーツ番号エイリアス：

HGTP12N60C3D_NL

単位重量：

0.063493 oz

Tags

HGTP12N60C3D, HGTP12N60C, HGTP12, HGTP1, HGTP, HGT