IXTA3N120HV

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263HV-2

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.2 kV

Id-連続ドレイン電流：

3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

42 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

200 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

IXYS

立ち下がり時間：

18 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

32 ns

典型的なターンオン遅延時間：

17 ns

Tags

IXTA3N12, IXTA3N1, IXTA3N, IXTA3, IXTA, IXT