FJI5603DTU

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

I2PAK-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

800 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

1.6 kV

エミッタ-ベース電圧VEBO：

12 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.2 V

最大DCコレクタ電流：

3 A

ゲイン帯域幅積fT：

5 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

FJI5603D

DC電流ゲインhFEMax：

20

高さ：

9.65 mm

長さ：

10.29 mm

包装：

チューブ

幅：

4.83 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20

Pd-消費電力：

100000 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.073511 oz

Tags

FJI