Jan2N3740

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-66-2

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

400 mV

最大DCコレクタ電流：

4 A

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

DC電流ゲインhFEMax：

120 at 250 mA, 1 VDC

包装：

トレイ

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30 at 250 mA, 1 VDC

Pd-消費電力：

25 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

Jan2N374, Jan2N37, Jan2N3, Jan2N, Jan2, JAN