2N3501UB/TR

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LCC-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

150 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

150 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.4 V

最大DCコレクタ電流：

300 mA

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

DC電流ゲインhFEMax：

300 at 150 mA, 10 V

包装：

リール

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20 at 300 mA, 10 V

Pd-消費電力：

1 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

100

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2N3501UB, 2N3501U, 2N3501, 2N350, 2N35, 2N3