MTI85W100GC

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ISOPLUS-DIL-17

チャネル数：

6 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

120 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

88 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

六角

チャネルモード：

強化

トランジスタタイプ：

6 N-Channel

ブランド：

IXYS

立ち下がり時間：

40 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

55 ns

ファクトリーパックの数量：

13

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

480 ns

典型的なターンオン遅延時間：

90 ns

パーツ番号エイリアス：

MTI85W100GC-SMD

Tags

MTI