TSM60NB099PW C1G

製品属性

属性値

メーカー：

台湾積体電路

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

38 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

86 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

62 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

329 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

NチャネルパワーMOSFET

ブランド：

台湾積体電路

立ち下がり時間：

25 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

24 ns

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

87 ns

典型的なターンオン遅延時間：

18 ns

Tags

TSM60NB09, TSM60NB0, TSM60NB, TSM60N, TSM60, TSM6, TSM