2N5415S

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-39-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

200 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

200 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2 V

最大DCコレクタ電流：

1 A

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

DC電流ゲインhFEMax：

120 at 50 mA, 10 V

包装：

バルク

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30 at 50 mA, 10 V

Pd-消費電力：

750 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2N5415S, 2N5415, 2N541, 2N54, 2N5