FDMS3572

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

Power-56-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

Id-連続ドレイン電流：

8.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

16.5 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

UltraFET

包装：

リール

高さ：

0.8 mm

長さ：

6 mm

シリーズ：

FDMS3572

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

13 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

24 ns

典型的なターンオン遅延時間：

11 ns

単位重量：

0.007408 oz

Tags

FDMS35, FDMS3, FDMS, FDM