BF 999 E6327

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

30 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

1 mm

長さ：

2.9 mm

シリーズ：

BF999

タイプ：

RF小信号MOSFET

幅：

1.3 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

6.5 V

パーツ番号エイリアス：

BF999E6327HTSA1 BF999E6327XT SP000010985

単位重量：

0.000282 oz

Tags

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