NVE4153NT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-89-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

915 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

127 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

450 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

6 V

Qg-ゲートチャージ：

1.82 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

300 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1.4 S

立ち下がり時間：

7.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4.4 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

25 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3.7 ns

単位重量：

0.001058 oz

Tags

NVE4, NVE