IPG20N10S4L35AATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TDSON-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

45 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

16 V

Qg-ゲートチャージ：

17.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

43 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

高さ：

1.27 mm

長さ：

5.9 mm

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

5.15 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

13 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3 ns

パーツ番号エイリアス：

IPG20N10S4L-35A SP001091928

Tags

IPG20N10S4L, IPG20N1, IPG20, IPG2, IPG