IPT015N10N5ATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

HSOF-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

300 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

169 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

375 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

OptiMOS

包装：

リール

高さ：

2.4 mm

長さ：

10.58 mm

シリーズ：

OptiMOS 5

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

10.1 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

140 S

立ち下がり時間：

30 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

30 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

85 ns

典型的なターンオン遅延時間：

36 ns

パーツ番号エイリアス：

IPT015N10N5 SP001227040

単位重量：

0.027262 oz

Tags

IPT015N10N5ATMA1, IPT015N10N5A, IPT015, IPT01, IPT0, IPT