VP2206N2

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

T

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-39-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

750 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

900 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

6 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

バルク

高さ：

6.6 mm

長さ：

9.4 mm

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

FET

幅：

9.4 mm

ブランド：

マイクロチップテクノロジー

立ち下がり時間：

22 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16 ns

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

16 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4 ns

単位重量：

0.039133 oz

Tags

VP2206N, VP2206, VP220, VP22, VP2