FCB199N65S3

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

D2PAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

14 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

170 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

30 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

98 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

FCB199N65S3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

10 S

立ち下がり時間：

15 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

23 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

52 ns

典型的なターンオン遅延時間：

19 ns

単位重量：

0.046296 oz

Tags

FCB1, FCB