MRF5943

製品属性

属性値

メーカー：

Advanced Semiconductor、Inc。

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

バイポーラパワー

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

NPN

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

25

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

30 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

3.5 V

連続コレクタ電流：

400 mA

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

包装：

トレイ

タイプ：

RFバイポーラパワー

ブランド：

Advanced Semiconductor、Inc。

ゲイン帯域幅積fT：

1.3 GHz

Pd-消費電力：

1 W

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.017870 oz

Tags

MRF59, MRF5, MRF