MUN5113T1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

独身

トランジスタの極性：

PNP

一般的な入力抵抗：

47 kOhms

典型的な抵抗比：

1

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-70/SOT-323-3

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

80

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

100 mA

ピークDCコレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

310 mW

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MUN5113

包装：

リール

DC電流ゲインhFEMax：

80

高さ：

0.85 mm

長さ：

2.1 mm

幅：

1.24 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000212 oz

Tags

MUN5113T1, MUN5113T, MUN5113, MUN511, MUN51, MUN5, MUN