AFT05MS031NR1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 500 mV, 40 V

利得：

19 dB

出力電力：

33 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-270-2

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

136 MHz to 520 MHz

シリーズ：

AFT05MS031N

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

フォワード相互コンダクタンス-最小：

5.8 S

感湿性：

はい

Pd-消費電力：

294 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 12 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.1 VDC

パーツ番号エイリアス：

935325665528

単位重量：

0.018679 oz

Tags

AFT05MS031N, AFT05MS03, AFT05MS, AFT05, AFT0, AFT