NTJD4158CT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V, 20 V

Id-連続ドレイン電流：

250 mA, 880 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.5 Ohms, 500 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV, 450 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V, - 2.5 V

Qg-ゲートチャージ：

0.9 nC, 2.2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

270 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

NTJD4158C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

幅：

1.25 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.08 S, 3 S

立ち下がり時間：

78 ns, 3.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

66 ns, 6.5 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

56 ns, 13.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns, 5.8 ns

単位重量：

0.000988 oz

Tags

NTJD4158, NTJD415, NTJD41, NTJD4, NTJD, NTJ