MW7IC2425GNR1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

27.7 dB

出力電力：

25 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-270-16

包装：

リール

構成：

デュアル

高さ：

2.64 mm

長さ：

17.58 mm

動作周波数：

2.45 GHz

シリーズ：

MW7IC2425N

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

9.07 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

感湿性：

はい

Pd-消費電力：

25 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.9 V

パーツ番号エイリアス：

935319487528

単位重量：

0.056385 oz

Tags

MW7IC24, MW7IC2, MW7I, MW7