BUK9M85-60EX

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LFPAK33-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

12.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

68 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

4.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

31 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

5.2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8.4 ns

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

6.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.4 ns

単位重量：

0.001788 oz

Tags

BUK9M, BUK9, BUK