MIEB101H1200EH

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

IGBTモジュール

構成：

ハーフブリッジ

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1.2 kV

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.8 V

25℃での連続コレクタ電流：

183 A

ゲートエミッタリーク電流：

200 nA

Pd-消費電力：

630 W

パッケージ/ケース：

E3-Pack

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 125 C

包装：

バルク

シリーズ：

MIEB101H1200EH

ブランド：

IXYS

取り付けスタイル：

シャーシマウント

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

製品タイプ：

IGBTモジュール

ファクトリーパックの数量：

5

サブカテゴリ：

IGBT

Tags

MIEB101, MIEB1, MIEB, MIE