QS6M4TR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-457T-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V, 20 V

Id-連続ドレイン電流：

1.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

260 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.25 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.85 mm

長さ：

2.9 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

QS6M4

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

1.6 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

18 ns, 12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

18 ns, 12 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15 ns, 45 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns, 10 ns

パーツ番号エイリアス：

QS6M4

単位重量：

0.000494 oz

Tags

QS6M4, QS6M, QS6