NVMFD5C650NLT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

111 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.5 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

37 nC, 37 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

125 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

NVMFD5C650NL

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

120 S, 120 S

立ち下がり時間：

13 ns, 13 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

24 ns, 24 ns

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

37 ns, 37 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns, 13 ns

Tags

NVMFD5C6, NVMFD5C, NVMFD, NVMF, NVM