QPD1017

製品属性

属性値

メーカー：

カーボ

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN SiC

利得：

20.4 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

32 V

Id-連続ドレイン電流：

480 mA

出力電力：

38.4 dBm

最大ドレインゲート電圧：

100 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

10.5 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

死ぬ

包装：

ジェルパック

構成：

独身

動作周波数：

15 GHz

動作温度範囲：

- 65 C to + 150 C

ブランド：

カーボ

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

1111797

Tags

QPD101, QPD10, QPD1, QPD